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臺積電:加入日本國家項目“尖端半導體制造技術(shù)開(kāi)發(fā)”

發(fā)布日期:2022.04.24

據日經(jīng)中文網(wǎng)4月20日消息,近日,全球最大半導體代工企業(yè)臺積電(TSMC)加入日本國家項目“尖端半導體制造計劃開(kāi)發(fā)”。


據悉,日本于2021年正式啟動(dòng)該項目,目標是“把半導體制造技術(shù)留在日本”。項目由日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所、東電電子、佳能、TSMC日本3DIC研究開(kāi)發(fā)中心、先端系統技術(shù)研究組合等機構參與,預計五年內提供760億日元經(jīng)費。臺積電在日本的研究基地“TSMC日本3DIC研發(fā)中心”計劃與日本共同開(kāi)發(fā)半導體制造中的三維后工序技術(shù)“3DIC”。

 

據悉,該項目是日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開(kāi)發(fā)機構(NEDO)從2019年度開(kāi)始推進(jìn)的部分業(yè)務(wù)。項目以擁有最先進(jìn)潔凈室的產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所為基地,該研究所位于茨城縣筑波市,企業(yè)和大學(xué)在這里研發(fā)邏輯半導體的制造技術(shù)。

 

半導體制造工藝分為“前工序”和“后工序”,前者是指在硅基板上使用曝光設備等形成電路的工序,后者是指分割后進(jìn)行組裝的工序。該項目也按照這兩種工序設定了研究課題,二者共同的關(guān)鍵詞是“三維(3D)”。

 

具體來(lái)看,前工序方面,該項目致力于開(kāi)發(fā)被稱(chēng)為“納米片”的最先進(jìn)元器件技術(shù),有消息認為2025年以后3D納米片型將成為主流。后工序方面,該項目將確立縱向堆疊電路的技術(shù)。需要注意的是,三維集成化是打破“摩爾定律”極限的有力技術(shù)。先進(jìn)封裝近來(lái)受到較大關(guān)注,尤其是硅通孔技術(shù),3D集成將縱向堆疊芯片,利用晶圓級封裝和硅通孔等先進(jìn)封裝技術(shù),以達到提高性能的目的。


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